买卖IC网 >> 产品目录 >> HUF76121S3ST MOSFET USE 512-FDB6030BL datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

HUF76121S3ST

库存数量：可订货
制造商：Fairchild Semiconductor
描述：MOSFET USE 512-FDB6030BL
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET USE 512-FDB6030BL
制造商 Fairchild Semiconductor
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 47 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.021 Ohms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 TO-263AB
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 HUF76121S3ST
HUF76122S3ST
HUF76129D3
HUF76129D3S
HUF76129D3ST
HUF76129P3
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  • HUF76121S3ST 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价